型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
点火IGBT 15安培， 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK
1322
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK Rail
6357
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
4998
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers IGBT D2PAK 350V 20A
4710
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
点火IGBT 20 A， 350 V， N沟道D2PAK Ignition IGBT 20 A, 350 V, N−Channel D2PAK
1191
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
8807
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
7038
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120FL2WG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2 V, 452 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
8068
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
单晶体管, IGBT, 30 A, 1.4 V, 225 mW, 600 V, TO-247, 3 引脚
8762
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
UPS / 太阳能 1200 V 160 A 法兰安装 超级 场截止 IGBT - TO-247-3
3626
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N60SWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 189 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
2689
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120IHSWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
3254
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.75 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
1085
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N60IHLWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.8 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
5308
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3Pin TO-247 Tube
1075
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 536000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
2558
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
7306
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTG50N60FLWG 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.65 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
3222
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
NGTD5R65F2: 整流器 650V 20A FS2 裸片
5241
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
NGTD13T65F2: IGBT 650V 30A FS2 裸片
9704
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT 晶体管 1200V/40A FAST IGBT FSII
6601
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT ONLY F
2553
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT 晶体管 600V/50A FAST IGBT FSII T
9655
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
点火IGBT 20 A， 400 V ， N沟道TO- 220 Ignition IGBT 20 A, 400 V, N−Channel TO−220
8164
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT Transistors 1200V/15A 15A 1200V RC IG
1409
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
点火IGBT 18安培， 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
4557
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
4347
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
IGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IG
3006
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品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120IHRWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.2 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
4805
-
品牌:
ON Semiconductor (安森美)
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
7475
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